华盛资讯3月12日讯，在Sandisk $SNDK 、希捷科技、西部数据等存储同行们纷纷交出“超预期”成绩单后，市场的目光正集中到压轴登场的存储巨头——美光科技。
美光将于当地时间3月18日（下周二）美股盘后发布2026财年Q2财报，市场等待的不只是一份强劲的财报，更是管理层对这轮AI驱动的“存储超级周期”还能持续多久的正面回应。
在财报发布前夕，华尔街对美光本季度的业绩预期已拉至历史高点。据彭博分析师预期：
元股证券:yy6699.vip从需求端看，AI产业正从训练阶段走向推理阶段，对存储容量、带宽与存取效率的需求呈现指数型提升。这一技术演变，使本轮DRAM的涨幅显著高于历史水平。同时让各大云厂商们对企业级SSD（eSSD）等高性能产品需求也远超预期。
从供给端看，三大原厂（三星、SK海力士、美光）将产能优先向高利润的HBM产品倾斜，挤压了传统DRAM和NAND的供给。这种“需求爆发+供给约束”的格局，为存储芯片价格带来了前所未有的上涨动能。
TrendForce预计，2026Q1 DRAM合约价将有90%-95%的环比涨幅；2026Q1 NAND Flash合约价将有55%-60%的环比增幅，且不排除仍有进一步上修的空间。
作为全球存储三巨头之一，美光以22.4%的DRAM市占率位列全球第三，NAND Flash市占率12.2%位居第五。凭借全面的产品线布局，美光正全方位受益于本轮AI存储涨价红利。
盈利方面，上季度美光科技毛利率达到56%，并给出本季度毛利率指引上限为68%。Needham分析师认为，超大规模云计算服务商Hyperscaler等客户大量采购企业级SSD等高价值产品，正推动公司平均销售价格与毛利率持续优化。
本轮存储涨价能持续多久？毛利率能否兑现上季度指引？都将成为本次财报的关键看点。
全球HBM市场目前由SK海力士、三星和美光三分天下。作为AI算力核心的“急先锋”，美光的高带宽内存（HBM）业务一直是市场关注的焦点。美光管理层已在上一财季明确表示，已经签约定价售罄了，包括最新的HBM4。
然而财报前夕，市场传来消息：据韩国经济日报报道，英伟达计划在今年下半年推出的下一代AI加速器Vera Rubin，将采用三星电子和SK海力士提供的HBM4，而美光被排除在Vera Rubin的HBM4供应链之外，可能仅用于Rubin系列中定位较低的中端加速器。
对此，美光迅速回应称，HBM4“已通过了英伟达认证”，且已经“提前开始出货”，并进入了高量产阶段。
此次财报，市场将高度关注管理层对HBM业务的进一步披露：2026年HBM产能是否真正售罄？HBM4量产节奏与客户验证进度究竟如何？
上季度，美光给出的业绩指引远超预期：预计营收187亿美元、毛利率67%（中值），绩后股价大涨超10%。本季度，能否再次给出“惊艳”的业绩指引，将成为存储价格能否持续上涨的重要信号。
资本开支方面，上季度美光将资本开支小幅提升至200亿美元，鼎锋优配，鼎锋优配配资，香港鼎锋优配公司主要用于扩大高带宽内存（HBM）产能及先进制程节点（如1γ制程）的扩产。瑞银预计美光2026/2027财年总资本开支预计为265亿/350亿美元。美光是否继续上调资本开支？是否仍保持谨慎扩产？都将直接影响行业未来供给格局，成为市场密切关注的焦点。
据TipRanks最新数据显示，基于27位华尔街分析师在过去三个月内对美光提出的12个月目标价格，平均目标价为438.44美元 ，最高预测为650美元 ，最低预测为300美元。
花旗维持对美光科技的“买入”评级，并在该公司公布季度业绩前将该股的目标价从385美元上调至430美元，理由是内存价格飙升和人工智能需求旺盛。
配资炒股分析师Atif Malik团队表示：“我们上调了2月季度/4月季度的业绩预期，高于市场预期，主要原因是年初至今的内存价格走强。”分析师预计，受数据中心强劲需求的推动，2026年DRAM平均售价将同比增长171%；受eSSD强劲需求的推动，NAND闪存平均售价将同比增长127%。此外，媒体报道显示，三星将在第一季度环比提高DRAM价格100%。
瑞银分析师认为，美光业绩有两大支撑。首先，核心DRAM和NAND的定价动态均在走强，短缺可能持续到2027年下半年甚至延续至2028年，尤其是DRAM。原因在于：由于缺乏晶圆厂空间、设备交付周期延长以及现场服务和工艺工程师短缺导致工具安装和认证困难等因素，内存生产商难以足够快地增加产能。此外，巨头纷纷把大部分新增产能将分配给HBM，这将延长DDR5和NAND的严重短缺。
其次，美光科技正在利用当前市场紧张局势达成新的长期协议，这些协议将放弃一些近期定价上涨空间，但会在未来几年创造更可持续的收入和盈利。
大摩表示，今年一季度存储迎来新一轮大幅涨价，且2026年供应增长有限，难以缓解当前严重的供需失衡局面，预计全年价格将持续上行。该行解释称，全球存储芯片持续供应短缺推高了动态随机存取存储器（DRAM）/NAND闪存的价格——DDR5现货价格年内大涨30%、较1月合约价高出130%。大摩强调，“这意味着主流产品价格可能再次翻倍”。并且，如果供需缺口无法弥补，这场涨价风暴就不会停止，而AI需求的持续高增长又会进一步扩大了供需缺口。
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